Finding the Missing Memristor - R. Stanley Williams

R. Stanley Williams 在这场 2010 年演讲中回顾 HP 团队怎样把一种带有状态的电阻器件与忆阻器模型联系起来。他先区分器件当时的导电特性和内部状态随历史变化的规律，再说明为什么普通测量流程可能与动态器件互相影响，因而需要探测、施加脉冲、再探测的流程。后半场转向存储、可重构逻辑和类突触计算的设想，也承认新器件不能直接替换已有内存而不调整系统。这里保留的是历史研究叙述与建模问题；公式、显微图、寿命和性能数据未独立核验，五年内替代存储或十年提升效率等说法是当时预测，不是今天的产品进展或购买依据。

存档字幕（转写方式未注明） ↗ · 引文按字幕原文展示，可点时间戳回看片段。